DC-DC-Aufwärtswandler für Brennstoffzellenantriebe
Wirkungsgrad und Zuverlässigkeit der nächsten Generation mit Infineon Produkten für DC-DC-Aufwärtswandlern für Brennstoffzellen
DC-DC-Aufwärtswandler für Brennstoffzellenantriebe haben eine zentrale Funktion beim Betrieb von Brennstoffzellen-Antriebssystemen für Elektrofahrzeuge. In einem elektrischen Brennstoffzellen-Antriebsstrangsystem gibt es mindestens ein DC-DC-Aufwärtswandler, der den Brennstoffzellen-Stack mit der Zwischenkreisspannung des Traktionswechselrichters und der Hochspannungs-Traktionsbatterie koppelt. Der Brennstoffzellen-Gleichspannungswandler sorgt für den Energiefluss zwischen diesen beiden elektrischen Teilnetzen über einen großen Spannungsbereich.
Subsysteme von Brennstoffzellen-Elektrofahrzeugen müssen einen maximalen Wirkungsgrad und höchstmögliche Zuverlässigkeit bieten und dabei gleichzeitig kostengünstig sein. Dies sind, in Verbindung mit der Anforderung, die Abmessungen des DC-DC-Wandlers so gering wie möglich zu halten, nur einige der Herausforderungen, mit denen Systementwickler heutzutage konfrontiert sind. Aus diesem Grund bietet Infineon eine breite Palette von Chipsatz-Lösungen zur Optimierung und Unterstützung des Designs von DC-DC-Wandlern für Brennstoffzellenanwendungen.
Gleichspannungswandler für Brennstoffzellen
Mit unserem umfassenden Know-how und dem großen Netzwerk an Partnern in der Automobilindustrie können wir Lösungen für elektrische Antriebsstränge mit dem Fokus auf der Optimierung des Wirkungsgrads, der Leistung und der Zuverlässigkeit von DC-DC Wandlernfür Brennstoffzellen-Elektrofahrzeuge anbieten. Unser Portfolio an Siliziumcarbid-Produkten der nächsten Generation, wozu unsere MOSFET-Leistungsmodule und diskreten Bauelemente der Produktreihe CoolSiC™ gehören, gewährleistet, dass DC-DC-Wandler selbst bei sehr hohen Schaltfrequenzen ein erstklassiges Schaltverhalten mit nur minimalen Leitungsverlusten aufweisen.
Dies bedeutet, dass die Entwickler beim Einsatz der hochwertigen, zuverlässigen Gleichspannungswandler-Lösungen von Infineon in ihren Brennstoffzellenanwendungen mit einem besseren Umwandlungswirkungsgrad, verringertem Platzbedarf und einer höheren Leistungsdichte rechnen können.
Die SiC-MOSFETs von Infineon sind in verschiedenen Spannungs- und Leistungsklassen sowohl als Modullösungen als auch als diskrete Bauelemente verfügbar.
Systemvorteile:
- Produktportfolio mit Lösungen auf der Basis von Leistungsmodulen und diskreten Bauelementen mit vollständiger Automotive-Qualifizierung
- Unterstützung einer breiten Palette von hoch effizienten Wandlertopologien
- Kompaktes Design mit maximaler Leistungsdichte
- Sehr niedrige Schaltverluste bei hohen Schaltfrequenzen
- Gate-Treiber mit integrierter Isolierung
- Hochperformante 32-Bit-Mikrocontrollern
- Evaluierungs-Kit zur Verkürzung der Entwicklungsdauer
Lerninhalte:
- Einführung in die SiC-MOSFET-Bauelemente und ihre Eigenschaften
- Präsentation des CoolSiC™-MOSFET von Infineon, seiner Eigenschaften und seiner Vorteile im Vergleich zu herkömmlichen Trench-MOS-Komponenten einschließlich eines Vergleichs mit Konkurrenzprodukten
- Lernen Sie die Funktionen und Vorteile der CoolSiC™-Lösungen von Infineon bei Zielanwendungen kennen, und erkennen Sie, wie das umfassend skalierbare CoolSiC™-Portfolio von Infineon diesen Wandel im Automobilmarkt unterstützt.
- Erfahren Sie, welche Gründe es für die zunehmende Einführung der Siliziumcarbid-Technologie bei Automotive-Anwendungen gibt.
Das Ansteuern eines CoolSiC™-MOSFETs ist sehr viel einfacher, als Sie vielleicht denken. In dieser Schulung erfahren Sie, wie ein solches Bauteil mit einer Gate-Abschaltspannung von 0 V angesteuert werden kann.
In dieser Schulung erfahren Sie, wie Sie einen Referenzwert für den Gate-Widerstand Ihres SiC-MOSFETs berechnen können, wie Sie anhand der Spitzenstrom- und Verlustleistungsanforderungen geeignete Gate-Treiber-ICs wählen und wie Sie in einem Laborumfeld den Wert des Gate-Widerstands auf der Grundlage von „Worst-Case“-Bedingungen exakt abstimmen können.
Erfahren Sie, weshalb es sinnvoll ist, SiC-MOSFET-Module parallel zu schalten und welche zentralen Herausforderungen und Lösungen es beim Design von Gate-Treibern und beim Layout von Leistungsmodulen gibt. Erfahren Sie, wie Sie mithilfe einer optimierten Schleifeninduktivität des Systems eine Lösung mit minimalen Schaltverlusten konzipieren können.
Lassen Sie sich erläutern, wie das Verhalten von Geräten in ihren Anwendungen mithilfe von SPICE Compact Models für CoolSiC™-MOSFETs von Infineon optimiert werden kann.
Lerninhalte:
- Welche Herausforderungen stellen Anwendungen für Traktionswechselrichter in Bezug auf Systemanforderungen, Größe, Kosten und Zeit?
- Beschreibung der speziellen Merkmale des EasyPACK™ 2B EDT2. Wie kann Infineon den Bedarf der Kunden erfüllen? Hierbei wird der Schwerpunkt auf Qualität und die Ausbaumöglichkeiten gelegt.
Der Schwerpunkt dieses Videos liegt auf dem Vergleich der Nennbelastbarkeit von IGBTs und SiC-MOSFETs. Dabei werden die verschiedenen, bei der Auslegung eines IGBT oder eines MOSFET für eine bestimmte Anwendungen zu beachtenden Aspekte dargestellt.
Lerninhalte:
- Präsentation des IPOSIM-Tools, insbesondere für Umrichter in Elektrofahrzeugen
- Schritte zum Simulieren verschiedener Parameter und Vergleich der Ergebnisse für unterschiedliche Produkte von Infineon: So ermitteln Sie das optimale Produkt für Ihre Anwendung
Erfahren Sie, weshalb es sinnvoll ist, SiC-MOSFET-Module parallel zu schalten, welche zentralen Herausforderungen und Lösungen es beim Design von Gate-Treibern und beim Layout von Leistungsmodulen gibt und wie mithilfe einer optimierten Schleifeninduktivität des Systems Lösungen mit minimalen Schaltverlusten konzipiert werden können.
Lerninhalte:
- Erfahren Sie, welche Antworten die Produktfamilie AURIX™ auf die Anforderungen des Elektromobilitätsmarktes hat.
- Tauchen Sie tief in die Welt der AURIX™ TC3xx-Mikrocontroller ein, lassen Sie sich zeigen, wie diese Produkte zentrale Herausforderungen bei Elektrofahrzeugen meistern, und lernen Sie die Hauptmerkmale dieser Produktfamilie kennen.
